主要特點：
1，優勢在於薄膜材料、低維納米材料等的製備（尤其適用於過渡金屬二維半導體材料的生長與原位摻雜，以及多元二維材料的生長）
2，可選配遠程等離子射頻發生係統，可用於薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長、刻蝕加工與材料表麵修飾（尤其適用於石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長，缺陷調控，以及器件製作工藝中的殘膠去除）
3，生長工藝設計先進，能滿足襯底無催化生長
設備主要技術參數
| 溫控參數 | 單位 | |
| 溫度 | 1200 | ℃ |
| 功率 | 6.5 | kw |
| 溫控精度 | ±1 | ℃ |
| 真空係統 | ||
| 真空泵 | 1 x 10-3 (7.5 x 10-4) | mbar (Torr) |
| 真空泵(開氣鎮) | 1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2) | mbar (Torr) |
| 真空泵(使用PEPE 油) | 1 x 10-2(7.5 x 10-3) | mbar (Torr) |
| 腔體內真空度 | 優於2.0*10-2 | Torr |
| 流量控製參數 | ||
| 泄露率 | ＜4×10-9 | atm-cc/secHe |
| 分辨率 | 全量程的0.1% | |
| 響應時間氣特性 | <2 | s |
| 響應時間電特性 | 500 | ms |
| 尾氣吸收參數 | ||
| 材質 | 殼體鋁合金、不鏽鋼 | |
| 吸氣腔 | 聚四氟乙烯 | |
| 等離子體係統參數 | ||
| 功率輸出 | 5 – 300，5 – 500 | W |
| 信號頻率 | 13.56 ±0.005% | MHz |
| 反射功率 | 200 | W |
| 功率穩定度 | ±0.1% | |
| 諧波分量 | ≤-50 | dbc |
| 供電電壓 | 187V – 253V —- 頻率50/60HZ |
以上就是東莞市卓聚科技有限公司提供的等離子體增強化學氣相沉積係統（PECVD）的介紹，
詳細情況歡迎您谘詢我們，客服電話：400-966-2800
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利用等離子體修飾係統，在自限生長的前提下，目前已實現了兩英寸晶圓級高質量單層二硫化鉬的外延生長，並通過改進轉移設備，實現了晶圓級薄膜的零汙染且襯底無損轉移。單層二硫化鉬薄膜均勻覆蓋在整個藍寶石襯底上，而且沒有縫隙，沒有重疊層。 薄膜由晶粒尺寸為 1 微米，相對取向為 60 º的晶粒拚接而成。成型薄膜隻包含 60 º晶界。
等離子體修飾係統產品優勢
1. 有效避免固態源中毒；
2.成膜均勻性好；
3.成膜麵積大；
4.快速、生長速度可控。
圖：兩英寸單層二硫化鉬的取向外延生長
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